Los dispositivos optoelectrónicos presentan una vía prometedora para emular el sistema visible humano. Sin embargo, los dispositivos existentes luchan por mantener la información de la imagen óptica después de eliminar estímulos externos, impidiendo la integración de la percepción de la imagen y la memoria. El desarrollo de dispositivos de memoria optoelectrónicos ofrece una solución viable para cerrar esta brecha. Al mismo tiempo, la visión synthetic para percibir y almacenar imágenes ultravioleta (UV) es particularmente importante porque la luz ultravioleta transporta información imperceptible a easy vista. Este estudio presenta una memoria optoelectrónica UV de múltiples niveles basada en nitruro de galio (GaN), que integra perfectamente funciones de memoria y detección de UV en un solo dispositivo. El SiO incrustado2 Las puertas laterales alrededor de las regiones de fuente y drenaje extienden efectivamente la vida útil de los portadores fotogenerados, permitiendo el almacenamiento en modo twin de señales UV en términos de voltaje umbral y corriente en estado ON. La memoria optoelectrónica demuestra una excelente robustez con un tiempo de retención superior a 4 × 104 s y ciclos de programación/borrado superiores a 1 × 105. Al ajustar el voltaje de la puerta se logran cinco estados de almacenamiento distintos, cada uno de los cuales se caracteriza por una excelente retención, y modula eficientemente los tiempos de borrado para un borrado rápido. Además, la integración de la matriz de memoria optoelectrónica de GaN captura y almacena de forma estable imágenes UV específicas durante más de 7 días. El estudio marca un paso significativo en las memorias optoelectrónicas y muestra su potencial en aplicaciones que requieren una retención prolongada.
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